各号一覧

タイトル情報

概要

IEEE transactions on electron devices
AB:IEEE trans. electron devices. KT:I.E.E.E. transactions on electron devices. VT:Transactions on electron devices. VT:Electron devices
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Institute of Electrical and Electronics Engineers
貸出禁止

詳細

和洋区分
洋雑誌
所蔵巻号次 43-45
所蔵通年次 1996-1998
継続区分
停止
発行頻度
月刊
注記 Vols. for 1963- issued by the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Electron Devices Group (called 1963-June 1964, Professional Technical Group on Electron Devices); 197<9-> by the IEEE Electron Devices Society IETDAI CF:IRE transactions on electron devices / Institute of Radio Engineers
ISSN 00189383
NACSIS書誌ID AA00667820
雑誌コード Z0001094

各号一覧

各号36 冊
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  • 1
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.12 (36)

    各号 - 年月次
    1998.12
    各号 - 特集記事
    Editorial Kudos to Our Reviewers
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076578
  • 2
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.11 (35)

    各号 - 年月次
    1998.11
    各号 - 特集記事
    Hot Electron and DX Center Insensitivity of Al0.25Ga0.75As/GaAs HFET's Designed for Microwave Power Applications
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076577
  • 3
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.10 (34)

    各号 - 年月次
    1998.10
    各号 - 特集記事
    Numerical Analysis of Device Performance of Metamorphic InyAl1-yAs/InxGa1-xAs(0.3<=x<=0.6) HEMT's on GaAs Substrate
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076576
  • 4
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.9 (33)

    各号 - 年月次
    1998.9
    各号 - 特集記事
    Announcement Changes in the Editorial Board
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076575
  • 5
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.8 (32)

    各号 - 年月次
    1998.8
    各号 - 特集記事
    Announcement Changes in the Editorial Board
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076574
  • 6
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.7 (31)

    各号 - 年月次
    1998.7
    各号 - 特集記事
    A Self-Aligned Gate GaAs MESFET with P-Pocket Layers for High-Efficiency Linear Power Amplifiers
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076573
  • 7
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.6 (30)

    各号 - 年月次
    1998.6
    各号 - 特集記事
    A Quasi-Two-Dimensional HEMT Model for DC and Microwave Simulation
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076572
  • 8
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.5 (29)

    各号 - 年月次
    1998.5
    各号 - 特集記事
    Editorial
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076571
  • 9
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.4 (28)

    各号 - 年月次
    1998.4
    各号 - 特集記事
    The Relation Between Luminous Properties and Oxygen Content in ZnS : TbOF Thin-Film Electroluminescent Devices Fabricated by Radio-Frequency Megnetron Sputtering Method
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076570
  • 10
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.3 (27)

    各号 - 年月次
    1998.3
    各号 - 特集記事
    Editorial
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076569
  • 11
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.2 (26)

    各号 - 年月次
    1998.2
    各号 - 特集記事
    InGaAs-Schottky Contacts Made by In Situ Plated and Evaporated Pt--An Analysis Based on DC and Noise Characteristics
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076568
  • 12
    各号 - 巻号

    Vol.45 No.1 (25)

    各号 - 年月次
    1998.1
    各号 - 特集記事
    Changes in the Editorial Board
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076567
  • 13
    各号 - 巻号

    Vol.44 No.12 (24)

    各号 - 年月次
    1997.12
    各号 - 特集記事
    Changes in the Editorial Board
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076566
  • 14
    各号 - 巻号

    Vol.44 No.11 (23)

    各号 - 年月次
    1997.11
    各号 - 特集記事
    Changes in the Editorial Board
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076565
  • 15
    各号 - 巻号

    Vol.44 No.10 (22)

    各号 - 年月次
    1997.10
    各号 - 特集記事
    Editorial
    各号 - 保管場所コード
    地下雑誌
    登録番号
    S0076564